産総研が54μm厚と薄い結晶Si型太陽電池を開発，変換効率は12.1％

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20080729/155644/
　産業技術総合研究所（産総研）は，アモルファスSiと結晶Siのヘテロ接合による54μm厚の太陽電池セルを開発し，セル変換効率12.1％を確認したことを明らかにした。産総研が2008年7月28～29日に東京の日本未来科学館で開催した「第4回太陽光発電研究センター成果報告会」で発表したもの。結晶Si型太陽電池は，結晶Siウエハの品薄や高騰が大きな課題。薄型化は，コスト削減を進める決め手として研究開発が盛んになっている。アモルファスSiと結晶Siのヘテロ接合による太陽電池セルは，結晶Si層の片面，あるいは両面にアモルファスSiの薄膜を形成したセルである。これは，三洋電機が「HIT（heterojunction with intrinsic thin layer）」と呼ぶセルの構造とほぼ同じである（関連記事）。今回，産総研は結晶Si層の両面にアモルファスSiを形成する構造で，結晶Si層の厚みを大幅に薄くして，54μm厚を実現した。「両面へテロ構造型としては世界で最も薄い」（産総研）。このセルは手で容易に曲げられるという。ただし薄くすることでセル変換効率は低下している。厚みが300μmの場合は，同17.5％だったが，54μm厚では同12.1％。薄くすることで，約900μmより長い波長の赤外線の利用効率が下がるためだという。

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